随着技术的逐步提升， 产品体系日益完善，第三代半导体在能源互联网、5G 基站建设、新能源汽车及充电桩、大数据中心、消费类电子、特高压人工智能、城际高速铁路和城市轨道交通、特高压等新应用市场不断“开疆拓土”。
SiC半导体材料和器件的制造包括单晶生长、外延层生长和器件/芯片制造三部分。SiC的单晶衬底有两种类型，即导电型SiC衬底和半绝缘SiC衬底。在导电型SiC衬底上生长SiC外延层可以制得SiC外延片，再进一步制成功率器件，主要应用于新能源汽车等领域：在半绝缘型SiC衬底上生长GaN外延层可以制得SiC基GaN外延片，可进一步制成微波射频器件，应用于5G和微波通信等领域。

在射频通信领域，GaN是未来最具成长潜能的第三代半导体材料之一。与砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）相比，GaN器件输出功率更大，与Si LDMMOS和SiC功率器件相比，GaN的频率特性更好，GaN射频器件已成为5G时代基站功率放大器的主要技术。

1、蓝宝石底外延N及P型GaN
2、光刻+干刻N电极
——通常采用Cl2刻蚀，N2或H2为辅气
3、电流阻挡层SiO2沉积+刻蚀
——SiH4+N2O/氟碳类气体等
4、ITO沉积（蒸镀）+ 蚀刻（湿法）
5、光刻+灰化+蒸镀（Cr/Ni/Au/Ti）
6、剥离电极以外的金属及光刻胶
7、钝化层SiO2沉积+刻蚀
——SiH4+N2O/氟碳类气体等，

1、衬底沉积AlN缓冲层（应对GaN晶格失配度大，500-600℃）
——TMAl+NH3+载气H2
2、沉积GaN(+C掺杂）
——TMGa+NH3+CCl4+载气H2
3、沉积AlGaN
——TMGa+NH3+TMAl+载气H2
4、钝化层SiN沉积+刻蚀
——SiH4+NH3/氟碳类气体等
5、金属电子束蒸发+剥离+刻蚀（BCl3）
6、隔离层SiO2沉积+刻蚀